Предметы
- Математика
- Русский язык
- Алгебра
- Английский язык
- Литература
- Физика
- Химия
- История
- Геометрия
- Биология
- География
- Другие предметы
- Қазақ тiлi
- Информатика
- Українська мова
- Обществознание
- Окружающий мир
- Українська література
- Музыка
- Немецкий язык
- Экономика
- Право
- Беларуская мова
- ОБЖ
- Французский язык
- Психология
- Технология
- Физкультура и спорт
- МХК
- Астрономия
- Кыргыз тили
- Оʻzbek tili
- Черчение
- Уход за собой
1. Назначение оксидных слоев в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем.
2. Методы получения пленок SiO2 при окислении кремния (сухое, влажное, пирогенное окисление).
3. Сравнительная характеристика технологических параметров окисления кремния и свойств получаемых пленок.
4. Вакуумные и другие методы осаждения пленок SiO2.
5. Выбор метода получения SiO2 для формирования пленок заданного качества и назначения.
6. Использование и получение пленок Si3N4.